<big id="ptv1b"><th id="ptv1b"><thead id="ptv1b"></thead></th></big>
    <track id="ptv1b"></track>

      <del id="ptv1b"><address id="ptv1b"><ol id="ptv1b"></ol></address></del>
      <p id="ptv1b"></p>

      <listing id="ptv1b"></listing>
      <track id="ptv1b"></track><p id="ptv1b"></p>

      <listing id="ptv1b"><progress id="ptv1b"></progress></listing>

      <big id="ptv1b"><noframes id="ptv1b">

        <video id="ptv1b"></video>

          <output id="ptv1b"></output>
            您好,歡迎您進入無錫星杰測試有限公司官方網站!
            24小時服務熱線:15961723550

            新聞資訊

            聯系我們/Contact Us
            聯系人:浦經理
            手機:15961723550
            電話:0510-85623588
            網址:www.amylynw.com
            地址:無錫市高浪路999號太湖科技中心A座A107室
            行業資訊
            您的位置: 新聞資訊 > 行業資訊 > 詳細信息

            芯片測試中對于摩爾定律的應用研究

            所屬類別:2020-08-24 閱讀:987次
                隨著大家對于摩爾定律的不斷研究,現在芯片測試的功能性越來越強大了。在測試中,如果芯片的面積是固定的,晶體管的數量在不斷增加的情況下,這個時候芯片測試的壓力就會越來越大。而對于測試的工程師來說,這個情況下要如何保證測試的覆蓋率正常,同時量產的速度也可以跟上呢?這就需要工程師在配合DFT設計的時候,就要多利用圓片測試來打造一個更加高效和簡化作用的測試案例。因為只有不斷的調整細節,不斷的從軟硬件方面去調整,才可以讓方案慢慢細化,這是一個自我分析的過程,從而慢慢提高解決問題的能力。下面我們來看到底有哪些小調整可以改善整個的測試方案呢?
                首先是把探針的直徑慢慢加粗。原來我們都采用3MIL的直徑,現在我們可以嘗試慢慢提高到4MIL。然后看下這個電流的走向是怎么樣的,如果PAD的直接加粗了,那么所承受的面積會變大,探針會承受的壓力也會變大。這個時候如果拆分PAT,就會將功耗降低很多。如果再搭配上PRO的測試,那么其實探針所承受的壓力也會進一步加強了。
                最后是加快PRO的磨針頻率。原本我們可能需要500顆才可以磨一次,但是現在我們直接將其減少到300顆就磨一次,這頻率直接增加的一倍的情況下,探針表面的氧化物是不是會直接受到影響呢?
             

            相關產品:

            高倍顯微鏡
            高倍顯微鏡
            探針臺UF200
            探針臺UF200
            示波器
            示波器
            烘箱
            烘箱
            STS 8202B
            STS 8202B
            Copyright © 2018 無錫星杰測試有限公司 All Rights Reservrd 版權所有 技術支持:無錫網絡推廣 蘇ICP備18013164號-1
            網站部分圖片來自互聯網,如有侵權,請及時通知,我們會及時更換!  XML  HTML
            尤物精品视频无码福利网_2021无码专区人妻系列日韩_亚洲欧美日韩中文无线码_波多野吉衣一级黄片